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砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。
砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。
用铜作捕集剂捕集铂族金属一般在电弧炉中进行。将废料、铜或者其铜的氧化物和还原剂在高温下进行还原熔炼，得到含贵金属的铜合金，与渣分离。山田耕司等采用铜捕集法，将待处理的含铂族元素原料、含氧化铜的材料、熔剂组分及还原剂一起装入封闭电炉中，使之熔化，实现渣与金属分离，从炉体的排渣口放出熔炼渣，渣中铂、钯和铑的含量分别为0.7、0.1、0.1g/t。铜捕集铂族金属熔炼温度相对于铁而言较低，分离效果好，渣中铂族金属损失小，并且金属铜可以循环使用，但存在周期长和试剂消耗过大、损失大、成本高等问题。